新的计算单元可以模仿电子神经元和突触行为

原始标题：新计算单元可以模仿电子神经元和突触行为 模仿神经和突触行为的开创性硅晶体管标志着神经形态计算的成功（示意图）。图像来源：人工智能一代 新加坡国立大学研究团队已经开发了一个创新的超强计算单元，可以模仿电子神经元和突触行为，从而为神经形态计算领域带来了革命性的变化。结果已发表在最新一期的《自然》中，该问题引起了半导体行业领先公司的广泛关注。 在人工神经网络中，电子神经元和突触是范围的两个主要要素。与传统的计算机不同，这些系统可能会在同一位置进行数据，并将数据存储在传统计算机的时间和能源消耗，以在内存和处理器之间传输数据。但是，实施电子neu与常规硅晶体管的Rons和突触需要许多连接的设备，每个设备至少需要18个晶体管，并且每个突触至少需要6个晶体管，从而使它们更大，比单个晶体管更大。 该团队找到了一种将神经元和突触的电行为特征复制到单个传统硅晶体管中的聪明方法。通过将身体末端电阻调节到一定量，制成了一种称为“冲击电离”的物理现象，该现象产生的峰值与当前的峰类似于激活电子神经元时发生的情况。此外，通过将不同的电阻值设置为对身体端子的不同值，晶体管可以存储门氧化物层电荷，并随着时间的推移保持其免疫力，并模仿电子突触的行为。这意味着晶体管只需选择身体末端的正确电阻器即可充当电子神经元或突触。 “冲击离子”现象ation”通常被视为硅晶体管的故障机制，但是研究团队已成功控制并将其转化为具有工业应用价值的技术。 这一发现的重要性是，它可以将电子神经元的大小降低至1/6的Thosessynaps中的原始和突触的1/18，这代表了包含数百万个电子神经元和突触的人工神经网络的重大进步，这意味着可以通过较低的能量消耗来处理大量信息。 此外，该团队设计了一个由两个晶体管组成的单元，即突触随机访问存储器，该单元支持神经元和突触操作模式之间的过渡，该模式在制造过程中提供了很高的灵活性，因为两个操作员都可以通过单个模块实现，而无需掺杂硅即可实现特定的电阻值。 值得注意的是，团队使用的晶体管基于传统的180NM节点技术，不需要最新的高端制造过程。这一突破不仅是令人震惊的现代技术，而且还为未来的计算技术开辟了新的道路。 现代技术促进了工程的发展，工程的变化也为进一步的技术开辟了道路。目前，研究人员明智地改变了传统的硅晶体管，使物质具有电子神经元和突触的双重操作。此外，他们利用的物理现象通常被认为是硅晶体管的故障机制。改变您的思维打开世界，控制“故障”也可以通过工业应用的价值更改为新技术。这项技术可能会实现人工神经网络的运行，而晶体管较少，在神经形态计算的瓶颈中进行了修复，并且可以在现有过程中实现，并具有广泛的应用PR视角。 （记者Zhang Mengur） （编辑：Hao Mengjia，Li Fang） 分享让许多人看到